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金屬箔電阻器應用在CMOS逆變器中有哪些用途

                

                    

                        來源：萬利隆電子 人氣：發(fā)布時間：2021-04-08
                    

                

                

                    

	金屬箔電阻器是一種常用電路半導體，金屬箔電阻器在很多動態(tài)閾值逆變器拓撲圖可以被認為是一種適合的超低功耗和低壓電荷泵設(shè)計的建筑單元。對于這樣的系統(tǒng)，一個非常重要的設(shè)計考慮因素是不可避免的雙阱CMOS制造工藝，因為PMOS和NMOS器件都需要通過各自的阱與共同襯底隔離。金屬箔電阻器使用另一個需要考慮的問題是電源電壓的限制。其電平不能超過0.6 V室溫下。否則寄生的NPN和PNP雙極晶體管就會打開，極有可能引起鎖存效應的觸發(fā)。在設(shè)計帶有動態(tài)VTH MOS逆變器的電荷泵時，必須考慮到這些限制。

	 



	電阻器

	 



	金屬箔電阻器應用在CMOS逆變器中基于交叉耦合拓撲的BD電荷泵，采用動態(tài)閾值CMOS逆變器的電荷泵能夠處理極低水平的輸入電壓。這也代表了所提議的拓撲的主要優(yōu)點。然而，缺點在于電荷泵的工作電壓范圍有限，因為增加了鎖存觸發(fā)的風險。因此，這種電荷泵拓撲結(jié)構(gòu)的主要應用領(lǐng)域被限制在低電壓和低功率系統(tǒng)中?？梢钥闯觯cRON相關(guān)的有效電壓VEFF作為位于分母的指數(shù)函數(shù)的參數(shù)，這說明該量的變化對該量的變化非常敏感。為了克服這個問題,許多技術(shù),如動態(tài)控制,前饋的偏壓電極,多級拓撲,實現(xiàn)電荷轉(zhuǎn)移開關(guān)CTS與通過門開關(guān)后衛(wèi)或反向控制的前一個階段的身體電極電壓可以包含在低壓CPs設(shè)計。

	 



	金屬箔電阻



	 



	金屬箔電阻器應用在CMOS逆變器中為了充分驗證電路設(shè)計概念，在通用雙阱130nm CMOS技術(shù)下設(shè)計了所提出的電路拓撲和電子元器件使用型號。兩種類型的長通道器件在室溫下均表現(xiàn)出約260 mV的標準閾值電壓。圖18描述了制造的原型芯片的顯微圖以及物理布局設(shè)計。為了更好的清晰度，我們省略了一些最上層的金屬層。這些藍色的長方形精確定位了芯片上電路的位置。該芯片還包含一個獨立的測試晶體管，以驗證設(shè)備的緊湊型仿真模型的準確性和制造過程的波動。



	 


                

                
            

            

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