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N型半導(dǎo)體的電阻率有什么不同

來(lái)源:萬(wàn)利隆電子 人氣:發(fā)布時(shí)間:2021-01-05
如果一種內(nèi)在的半導(dǎo)體材料被給予(純)和另一種材料,就會(huì)獲得外部半導(dǎo)體。在內(nèi)在半導(dǎo)體中,自由電子和弧的數(shù)量是相等的。半導(dǎo)體導(dǎo)電率非常低,因?yàn)檩d重器孔和自由電子的數(shù)量都很有限。如果硅被五種無(wú)雜質(zhì)的東西麻醉,那么它就會(huì)獲得這些五種不同價(jià)位的半導(dǎo)體,如銻、砷和磷。半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)由于反莫尼原子(Sb)是5級(jí),所以4個(gè)電子價(jià)與硅原子的共價(jià)鍵配對(duì),而5個(gè)電子則不配對(duì)。因此,第五電子鍵與原子核的鍵變得弱,容易成為自由電子。
半導(dǎo)體
雖然n硅基元素包含相當(dāng)多的自由電子,但整個(gè)晶體保持中立,因?yàn)樵雍酥姓业臄?shù)量仍然等于整個(gè)電子的數(shù)量。除了自由電子(占多數(shù))數(shù)量增加外,n的類型數(shù)實(shí)際上在下降。這是因?yàn)殡S著自由電子數(shù)量的增加,孔和電子重新組合的速度增加了。這就減少了。自由電子捐贈(zèng)原子的能量水平可以用下面的圖片來(lái)描述。硅的導(dǎo)電磁帶能量為0.05 eV, 0.01 eV之間的距離很小。因此,在室溫下,所有的供能電子都可以到達(dá)導(dǎo)電帶,成為自由電子。
 
半導(dǎo)體
 
n型半導(dǎo)體的材料可以畫(huà)在下面。因?yàn)楣w原子被電子(也就是自由電子)拋在后面,它們就變成了帶電離子。用一個(gè)正弦符號(hào)來(lái)描述。而自由電子成為多數(shù)持有者。他的載客車是一個(gè)洞。半導(dǎo)體型N型半導(dǎo)體如果一種純半導(dǎo)體(內(nèi)在的)材料在三種情況下被安培化,那么它就會(huì)獲得半導(dǎo)體p。因?yàn)槊恳粋€(gè)原子都有一個(gè)電子,所以處于第五階段的原子被稱為捐贈(zèng)原子。而“自由”電子也可以控制它的數(shù)量或集中。
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