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厚膜電阻應(yīng)用低頻噪聲測量包括哪些方面

                

                    

                        來源：萬利隆電子 閱讀量：2000發(fā)布時間：2021-03-31
                    

                

                

                    

	厚膜電阻在高壓脈沖應(yīng)力前后歸一化噪聲幅值B0/I2。與擬合參數(shù)B0相反，歸一化后的噪聲振幅無量綱化。出的數(shù)據(jù)類似，1/f噪聲在應(yīng)用高壓處理時增加了大約一個數(shù)量級。在進(jìn)行擬合程序后，厚膜電阻在金屬涂膜單元的絕緣層中存在陷阱引起的波動所引起的洛倫茲項可以觀察到電流噪聲譜的輕微彎曲。盡管被1/f噪聲掩蓋，洛倫茲項影響了測量值和理論關(guān)系的一致性。高壓脈沖應(yīng)力前后的電流噪聲譜分析與電阻和噪聲指標(biāo)的特性一致。值得注意的是，具有中等片狀電阻的電阻器中的傳導(dǎo)機(jī)制結(jié)合了導(dǎo)電相含量高或低的電阻器中的傳導(dǎo)機(jī)制。



	厚膜電阻



	厚膜電阻應(yīng)用低頻噪聲測量包括當(dāng)前噪聲頻譜和噪聲指數(shù)測量，提供的結(jié)果對宏觀和微觀結(jié)構(gòu)的變化比測量的電阻值更敏感。這一事實在可靠性分析中具有特別重要的意義，當(dāng)厚電阻膜的應(yīng)變引起電阻的可逆變化時。當(dāng)基于高片電阻組成的厚膜電阻被關(guān)注時，由于導(dǎo)電相的低體積分?jǐn)?shù)，主要的傳導(dǎo)機(jī)制是穿隧穿過玻璃屏障。應(yīng)力會引起顯著的微觀結(jié)構(gòu)變化，改變屏障電阻，并導(dǎo)致顯著的電阻下降，類似于在電阻的基礎(chǔ)上看到的中片電阻組成。

	 



	厚膜電阻應(yīng)用

	 



	厚膜電阻實驗數(shù)據(jù)表明，噪聲指標(biāo)值與電阻行為一致，即隨著電阻的逐漸減小，NI值逐漸增加，在電阻減小的停滯期達(dá)到恒定值(飽和)對厚膜電阻的機(jī)械應(yīng)變和電應(yīng)變的研究表明，這兩種類型的應(yīng)變對這些復(fù)雜的納米結(jié)構(gòu)的行為有相反的影響。檢查機(jī)械和電氣應(yīng)變對厚膜電阻同時產(chǎn)生的影響對于敏感設(shè)備的開發(fā)是特別有趣的，因為機(jī)械和電氣應(yīng)變同時產(chǎn)生可能會影響電阻承受高壓處理的能力。


                

                
            

            

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